IT 개발자 뉴스 가젯과 리뷰 뉴스 컴퓨터 Hyun-woo (현우) 3월 30, 2025 0 Comments

중국 PCIE 5.0 SSD는 14.9GB/s 속도를 자랑하며 시장에서 가장 빠른 주류 PCIE 5.0 드라이브로 포지셔닝

중국 제조업체 UNIS (Tsinghua Unigroup의 자회사)는 최고의 SSD 중 하나의 강력한 경쟁자 인 PCIE 5.0 SSDS의 S5 라인업을 공개했습니다. 회사 (비아 ithome)는 드라이브 속도가 최대 14.9GB/s이며, 가장 빠른 소비자 PCIE 5.0 드라이브 중 2 개의 중요한 T705와 Samsung 9100 Pro보다 빠릅니다.

S5 패밀리는 기본 S5와 S5 Ultra를 특징으로하며, 둘 다 M.2 2280 폼 팩터를 일치시키고 PCIE 5.0 X4 인터페이스를 사용합니다. 중국에서 데뷔 한 직후 일부 부대는 Aliexpress와 같은 온라인 채널을 통해 검토를 위해 Western Markets에 도달 할 것입니다.

PCIE 5.0 생태계의 최고 SSD는 13-14GB/s의 야구장에서 순차적 판독 값을 제공하며 수백 MB/S의 한계 이득 만 가장 빠른 차별화를 제공합니다. 중요한 T705는 SSD 시장에서 선도적 인 위치를 차지했으며, Samsung이 9100 Pro 제품을 갖춘 PCIE 5.0 생태계에 진입함으로써 단지 결정을 내 렸습니다.

Micron 4600은 최근 Phison E26을 스포츠하고 Silicon Motion과 Micron의 276 계층 TLC NAND에서 SM2508 컨트롤러를 제치고 순위에 합류했습니다. 삼성과 미크론이 2,000K IOPS 장벽을 지나서 무작위 판독과 글의 차이가 눈에 띄게 커집니다.

UNIS S5 Ultra 및 S5 PCIE 5.0 SSD 사양

수평으로 스크롤하기 위해 스 와이프합니다

이름	UNIS S5 Ultra	삼성 9100	중요한 T705	유나이티드 S5
플래시 메모리	TLC NAND	236 계층 Samsung TLC NAND	232 계층 미크론 TLC NAND	TLC NAND
폼 팩터	M.2 2280	M.2 2280	M.2 2280	M.2 2280
제어 장치	이름이없는 6nm 기반 컨트롤러	삼성 독점 (프레스토)	Phison E26	이름이없는 12nm 기반 컨트롤러
음주	예	예	예	아니요
순차적 읽기	14.2 GB/s	14.8 GB/s	14.5 GB/s	14.9 GB/s.
순차적으로 쓴다	13.4 GB/s	13.4 GB/s	12.7 GB/s	12.9 GB/s
임의의 읽기	1,700K	2,200K	1,550k	1,800K
무작위 쓰기	1,600K	2,600K	1,800K	1,700K

기본 UNIS S5는 순차적 판독 값을 발사하고 각각 14.9GB/s와 12.9GB/s를 쓸 수 있으며,이 영토의 다른 모든 제품을 무너 뜨릴 수 있습니다. 임의의 읽기 및 쓰기는 인상적인 1,800K IOP 및 1,700K IOP에 서 있습니다. 명백한 Oomph에도 불구하고 놀랍게도 이름이없는 12nm 컨트롤러를 사용하고 드라마가없는 디자인을 특징으로합니다. 출시시 S5는 지정된 가격이없는 1TB 및 2TB 용량으로 제공됩니다.

S5 Ultra 업그레이드는 듀얼 PCB 설계로 업그레이드되며 DRAM 캐시가 포함되어 있습니다. 미크론 4600에서도 발견 된 실리콘 모션 SM2508 일 가능성이있는 6NM 컨트롤러를 사용한다고합니다. 사양은 제쳐두고, 순차적 인 14.2GB/s 및 13.4GB/s에서 각각 1,700K IOPS 및 1,600K IOPS로 떨어지는 반면, 순차적으로 읽고 기록합니다. S5 Ultra는 2TB 및 4TB 변형으로만 데뷔하여 예산 소비자를 실망시킬 수 있습니다.

속도가 느리지 만 S5 Ultra는 DRAM 캐시를 포함시켜 생산성 기계에 더 적합 할 것입니다. 두 SSD는 1mm 그래 핀 수동 방열판으로 배송되지만 활성 냉각 용액은 이러한 SSD에 의해 생성 된 열을 특히 고속으로 처리 할 수 있습니다. 어쨌든,이 SSD는 곧 중국 전자 상거래 시장에 도달했다고합니다. 퍼스트 파티 메트릭이 종종 편향되므로 적절한 독립 테스트를 통해서만 청구 된 속도 만 확인할 수 있습니다.

출처 참조